- 电性检测
半导体组件参数分析
IV电特性量测 (IV Curve)
点针与探针信号量测 (Probe/Nano Probe)
ESD 保护组件之TLP电特性量测
- 非破坏分析
超高分辨率数字显微镜 (3D OM)
超音波扫描 (SAT 检测)
X射线检测 (2D X-ray)
推拉力
贵州中芯微电子科技有限公司失效分析与可靠性实验室成立于2021年,拥有目前国内外一流的分析设备,主要设备有超声波扫描显微镜,X-RAY,回流焊,高低温循环冲击箱、恒温恒湿试验箱、烤箱、膜厚仪、开盖机、切片机、沾锡炉等设备,设备价值超过千万人民币。
失效分析主要用来帮助产线或客户做集成电路IC的失效位置定位和失效机理分析。所应用到的技术手段包括:非破坏性分析技术,静态电压电路比对实验,化学法、物理法样品制备技术等十多种分析手段。
何谓可靠性,可靠性是以量化数据做为产品质量保证之依据,藉由实验仿真,产品于既定时间内、特定使用环境条件,执行特定规格功能,成功完成工作目标的机率,以量化数据作为产品质量保证的依据。实验室可以完成常规可靠性全套项目,包括预处理Pre-condition、可靠性项目TCT、PCT、THT、HTST等项目。

半导体组件参数分析
IV电特性量测 (IV Curve)
点针与探针信号量测 (Probe/Nano Probe)
ESD 保护组件之TLP电特性量测
超高分辨率数字显微镜 (3D OM)
超音波扫描 (SAT 检测)
X射线检测 (2D X-ray)
推拉力

芯片开盖去胶 (Decap)
芯片去层 (Delayer)
传统剖面/晶背研磨 (Cross-section &Backside)
离子束剖面研磨 (CP)
封装打线强度试验 (Wire Bond)
焊锡性试验 (Solder Ball)
封装引脚完整性试验 (Lead Integrity)
封装体完整性测试 (Package Assembly)

模拟SMT实际状况
可靠性试验
8温区
最高温区:300℃
温差:±2℃

内部线路透视
全封装产品透视

高温存储
实验温度:≤260℃
持续时长:1000H

高低温循环
高温储存
低温储存
实验温度:
-60℃~175 ℃
高低温转换速率:
<5min

恒温恒湿存储
恒温储存
恒湿储存
实验温度:
-60℃~150 ℃
实验湿度:
30%~100%RH

高压蒸煮
实验温度:121℃
实验湿度:100%RH
实验压强:2atm

Decap(开盖)
一般封装
线材:金线、铜线、合金线、铝线等

SAT扫描
一般封装

锡层厚度检测
金属元素分析
厚度极限:500UM